蝕刻機和光刻機有什么區別？

    這倆機器zui簡單的解釋就是光刻機把電路圖投影到覆蓋有光刻膠的硅片上面，刻蝕機再把剛才畫了電路圖的硅片上的多余電路圖腐蝕掉，這樣看起來似乎沒什么難的，但是有一個形象的比喻，每一塊芯片上面的電路結構放大無數倍來看比整個北京都復雜，這就是這光刻和蝕刻的難度。

    光刻的過程就是現在制作好的硅圓表面涂上一層光刻膠（一種可以被光腐蝕的膠狀物質），接下來通過光線（工藝難度紫外光＜深紫外光＜極紫外光）透過掩膜照射到硅圓表面（類似投影），因為光刻膠的覆蓋，照射到的部分被腐蝕掉，沒有光照的部分被留下來，這部分便是需要的電路結構。

    蝕刻分為兩種，一種是干刻，一種是濕刻（目前主流），顧名思義，濕刻就是過程中有水加入，將上面經過光刻的晶圓與特定的化學溶液反應，去掉不需要的部分，剩下的便是電路結構了，干刻目前還沒有實現商業量產，其原理是通過等離子體代替化學溶液，去除不需要的硅圓部分。